STGD5NB120SZ-1 - ST
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图片信息
STGD5NB120SZ-1
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-251(IPAK)
技术参数:
IGBT 1200V 10A TO-251
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STGD5NB120SZ-1 技术参数详情:
型号:STGD5NB120SZ-1
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-251(IPAK)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
描述:IGBT 1200V 10A TO-251
包装:管件
产品状态:停产
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):10 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,5A
功率 - 最大值:75 W
开关能量:2.59mJ(导通),9mJ(关断)
输入类型:标准
栅极电荷:-
25°C 时 Td(开/关)值:690ns/12.1s
测试条件:960V,5A,1 千欧,15V
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
供应商器件封装:TO-251(IPAK)
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STGD5NB120SZ-1
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