STGB35N35LZ-1 - ST
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图片信息
STGB35N35LZ-1
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-262(I2PAK)
技术参数:
IGBT 345V 40A TO-262
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STGB35N35LZ-1 技术参数详情:
型号:STGB35N35LZ-1
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-262(I2PAK)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
描述:IGBT 345V 40A TO-262
包装:管件
产品状态:停产
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):345 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):1.7V @ 4.5V,15A
功率 - 最大值:176 W
开关能量:-
输入类型:逻辑
栅极电荷:49 nC
25°C 时 Td(开/关)值:1.1s/26.5s
测试条件:300V,15A,5V
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
供应商器件封装:TO-262(I2PAK)
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STGB35N35LZ-1
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