STGB30H65FB - ST
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图片信息
STGB30H65FB
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-263-3,DPak(2 引线 + 接片),TO-263AB
技术参数:
IGBT
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STGB30H65FB 技术参数详情:
制造商产品型号:STGB30H65FB
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:IGBT
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:HB
零件状态:有源
IGBT类型:沟槽型场截止
电压-集射极击穿(最大值):650V
电流-集电极(Ic)(最大值):60A
电流-集电极脉冲(Icm):120A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
功率-最大值:260W
开关能量:151J(开),293J(关)
输入类型:标准
栅极电荷:149nC
25°C时Td(开/关)值:37ns/146ns
测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-263-3,DPak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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