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STGAP2SICSTR - ST
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图片信息
STGAP2SICSTR 图片
STGAP2SICSTR
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器，封装:8-SO
  • 技术参数：DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO
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STGAP2SICSTR 技术参数详情：
  • 型号:STGAP2SICSTR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SO
  • 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
  • 描述:DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:容性耦合
  • 通道数:1
  • 电压 - 隔离:5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度（最小值）:100V/ns
  • 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:90ns，90ns
  • 脉宽失真（最大）:20ns
  • 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns
  • 电流 - 输出高、低:4A，4A
  • 电流 - 峰值输出:4A
  • 电压 - 正向 (Vf)（典型值）:-
  • 电流 - DC 正向 (If)（最大值）:-
  • 电压 -输出供电:3V ~ 5.5V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SO
  • 认证机构:UL
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