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STFI11NM65N - ST
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图片信息
STFI11NM65N 图片
STFI11NM65N
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：I2PAKFP（TO-281）
  • 技术参数：MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
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STFI11NM65N 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：STFI11NM65N
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：MDmesh II
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：455 毫欧 @ 5.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：29nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：800pF @ 50V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：25W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：I2PAKFP（TO-281）
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