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STDRIVEG612QTR - ST
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图片信息
STDRIVEG612QTR 图片
STDRIVEG612QTR
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器，封装:18-QFN（4x5）
  • 技术参数：HIGH VOLTAGE AND HIGH-SPEED HALF
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STDRIVEG612QTR 技术参数详情：
  • 型号:STDRIVEG612QTR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:18-QFN（4x5）
  • 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
  • 描述:HIGH VOLTAGE AND HIGH-SPEED HALF
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:-
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
  • 电压 - 供电:10.3V ~ 18V
  • 逻辑电压- VIL，VIH:1.45V，2V
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:800mA，1.8A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
  • 上升/下降时间（典型值）:22ns，13ns
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:18-TFQFN
  • 供应商器件封装:18-QFN（4x5）
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