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STDRIVEG600W - ST
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图片信息
STDRIVEG600W 图片
STDRIVEG600W
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器，封装:触片
  • 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DIE
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STDRIVEG600W 技术参数详情：
  • 型号:STDRIVEG600W
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:触片
  • 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DIE
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:-
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:GaN FET，MOSFET（N 沟道）
  • 电压 - 供电:4.75V ~ 20V
  • 逻辑电压- VIL，VIH:1.45V，2V
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5.5A，6A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）:620 V
  • 上升/下降时间（典型值）:7ns，5ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:模具
  • 供应商器件封装:触片
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