STD9N60M6 - ST
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图片信息
STD9N60M6
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-252(DPAK)
技术参数:
DISCRETE
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STD9N60M6 技术参数详情:
型号:STD9N60M6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-252(DPAK)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:DISCRETE
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):750 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):10 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):273 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):76W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-252(DPAK)
封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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