STD5N60DM2 - ST
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图片信息
STD5N60DM2
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:DPAK
技术参数:
MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
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STD5N60DM2 技术参数详情:
型号:STD5N60DM2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.55 欧姆 @ 1.75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):375 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):45W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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