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STD20P3H6AG - ST
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图片信息
STD20P3H6AG 图片
STD20P3H6AG
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：DPAK
  • 技术参数：MOSFET P-CH 30V 20A DPAK
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STD20P3H6AG 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：STD20P3H6AG
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 20A DPAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101, STripFET F6
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12.8nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：635pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：40W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：DPAK
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