STB60NF10-1 - ST
ST代理商
全球现货渠道
强大的现货交付能力,轻松满足您的射频微波器件采购需求
首页
产品中心
典型品牌
热门器件
行业新闻
关于我们
联系我们
热门关注品牌:
NI
Toshiba
AKM
ESPROS
WEC
Fairview Microwave
图片信息
STB60NF10-1
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-262(I2PAK)
技术参数:
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
需要STB60NF10-1的报价? 那就马上联系我们吧!
最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购
STB60NF10-1 技术参数详情:
型号:STB60NF10-1
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-262(I2PAK)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):23 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):104 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4270 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):300W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-262(I2PAK)
封装/外壳:TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
快速提供
STB60NF10-1
专业且全面的报价,
ST代理
货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多ST产品:
TS512BIYDT
集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
STGW20V60DF
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
STP80NF12
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
STM32F103T8U7TR
集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
STM32F413ZHJ6TR
集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
STB75NF20
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
LF120ABPT-TR
集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
STM32H7A3VGH6
集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
B5S162861TTR
逻辑 - 信号开关,多路复用器,解码器
TDA2005S
集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器
500DAAA144M000ACFR
振荡器
SI4113-D-GM
集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器
MNR32J0ABJ183
电阻器网络,阵列
MCR18EZHF4871
芯片电阻
HDA260452
电路保护 > 断路器
ST公司授权代理商
Matrix Orbital
Sivers
AIC
ThingMagic
Bivar
STB60NF10-1
(制造商:ST) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台