STB200NF04-1 - ST
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图片信息
STB200NF04-1
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:I2PAK
技术参数:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
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STB200NF04-1 技术参数详情:
型号:STB200NF04-1
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:I2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.7 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):210 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5100 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):310W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:I2PAK
封装/外壳:TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
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STB200NF04-1
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