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SH32N65DM6AG - ST
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图片信息
SH32N65DM6AG 图片
SH32N65DM6AG
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:9-ACEPACK SMIT
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK
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SH32N65DM6AG 技术参数详情：
  • 型号:SH32N65DM6AG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:9-ACEPACK SMIT
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:650V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:97 毫欧 @ 23A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2211pF @ 100V
  • 功率 - 最大值:208W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:9-PowerSMD
  • 供应商器件封装:9-ACEPACK SMIT
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