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SGT105R70ILB - ST
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图片信息
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SGT105R70ILB
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:PowerFlat（8x8）HV
  • 技术参数：700 V, 80 MOHM TYP., 21.7 A, E-M
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SGT105R70ILB 技术参数详情：
  • 型号:SGT105R70ILB
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PowerFlat（8x8）HV
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:700 V, 80 MOHM TYP., 21.7 A, E-M
  • 包装:剪切带（CT）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）:700 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21.7A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 6A，6V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 24.3mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 6 V
  • Vgs（最大值）:+7V，-6V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:179 pF @ 400 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:158W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
  • 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
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