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SCTWA35N65G2VAG - ST
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图片信息
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SCTWA35N65G2VAG
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-247 长引线
  • 技术参数：TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
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SCTWA35N65G2VAG 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：SCTWA35N65G2VAG
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：SiC（碳化硅结晶体管）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：45A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V，20V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：72毫欧 @ 20A，20V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：73nC @ 20V
  • Vgs（最大值）：+20V，-5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1370pF @ 400V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：208W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-247 长引线
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