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SCTW60N120G2 - ST
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图片信息
SCTW60N120G2 图片
SCTW60N120G2
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:HiP247
  • 技术参数：DISCRETE
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SCTW60N120G2 技术参数详情：
  • 型号:SCTW60N120G2
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:HiP247
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:DISCRETE
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 30A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 8 V
  • Vgs（最大值）:+18V，-5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1969 pF @ 800 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:389W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:HiP247
  • 封装/外壳:TO-247-3
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