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SCTW35N65G2VAG - ST
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图片信息
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SCTW35N65G2VAG
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:HiP247
  • 技术参数：SICFET N-CH 650V 45A HIP247
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SCTW35N65G2VAG 技术参数详情：
  • 型号:SCTW35N65G2VAG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:HiP247
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:SICFET N-CH 650V 45A HIP247
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V，20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67毫欧 @ 20A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 20 V
  • Vgs（最大值）:+22V，-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 400 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:240W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:HiP247
  • 封装/外壳:TO-247-3
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