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SCTH70N120G2V-7 - ST
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图片信息
SCTH70N120G2V-7 图片
SCTH70N120G2V-7
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:H2PAK-7
  • 技术参数：SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
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SCTH70N120G2V-7 技术参数详情：
  • 型号:SCTH70N120G2V-7
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:H2PAK-7
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 50A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.9V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 18 V
  • Vgs（最大值）:+22V，-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3540 pF @ 800 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:469W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:H2PAK-7
  • 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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