射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
SCT10N120H - ST
ST代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
ST产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
SCT10N120H 图片
SCT10N120H
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:H2Pak-2
  • 技术参数：SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
  • 需要SCT10N120H的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
SCT10N120H 技术参数详情：
  • 型号:SCT10N120H
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:H2Pak-2
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 20 V
  • Vgs（最大值）:+25V，-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290 pF @ 400 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:H2Pak-2
  • 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
  • 快速提供SCT10N120H专业且全面的报价，ST代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
ST品牌LOGO
更多ST产品：
ST公司授权代理商
Xaptum
Magnetic Shield
Semitec
NI
DK SENSOR
SCT10N120H（制造商：ST） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台