SCT040W120G3AG - ST
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图片信息
SCT040W120G3AG
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:HiP247
技术参数:
HIP-247 IN LINE HEAT SINK 2MM
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SCT040W120G3AG 技术参数详情:
型号:SCT040W120G3AG
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:HiP247
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:HIP-247 IN LINE HEAT SINK 2MM
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):54 毫欧 @ 16A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.2V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):56 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1329 pF @ 800 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):312W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:通孔
供应商器件封装:HiP247
封装/外壳:TO-247-3
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