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PD20015S-E - ST
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图片信息
PD20015S-E 图片
PD20015S-E
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，封装：PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • 技术参数：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
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PD20015S-E 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：PD20015S-E
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
  • 零件状态：停产
  • 晶体管类型：LDMOS
  • 频率：2GHz
  • 增益：11dB
  • 电压-测试：13.6V
  • 额定电流（安培）：7A
  • 噪声系数：-
  • 电流-测试：350mA
  • 功率-输出：15W
  • 电压-额定：40V
  • 封装：PowerSO-10 裸露底部焊盘
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