PD20015-E - ST
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图片信息
PD20015-E
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET,封装:PowerSO-10RF(成形引线)
技术参数:
RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
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PD20015-E 技术参数详情:
型号:PD20015-E
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerSO-10RF(成形引线)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
系列:-
包装:管件
产品状态:停产
技术:LDMOS
配置:-
频率:2GHz
增益:11dB
电压 - 测试:13.6 V
额定电流(安培):7A
噪声系数:-
电流 - 测试:350 mA
功率 - 输出:15W
电压 - 额定:40 V
等级:-
资质:-
安装类型:-
封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
供应商器件封装:PowerSO-10RF(成形引线)
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PD20015-E
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