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PD20010S-E - ST
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图片信息
PD20010S-E 图片
PD20010S-E
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET，封装:PowerSO-10RF（直引线）
  • 技术参数：RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
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PD20010S-E 技术参数详情：
  • 型号:PD20010S-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PowerSO-10RF（直引线）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
  • 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 技术:LDMOS
  • 配置:-
  • 频率:2GHz
  • 增益:11dB
  • 电压 - 测试:13.6 V
  • 额定电流（安培）:5A
  • 噪声系数:-
  • 电流 - 测试:150 mA
  • 功率 - 输出:10W
  • 电压 - 额定:40 V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
  • 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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