NAND512W3A2BN6E - ST
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图片信息
NAND512W3A2BN6E
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:48-TSOP
技术参数:
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
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NAND512W3A2BN6E 技术参数详情:
型号:NAND512W3A2BN6E
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:48-TSOP
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
系列:-
包装:托盘
产品状态:停产
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:闪存 - NAND
存储容量:512Mb
存储器组织:64M x 8
存储器接口:并联
时钟频率:-
写周期时间 - 字,页:50ns
访问时间:50 ns
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
供应商器件封装:48-TSOP
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