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MJD112T4 - ST
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图片信息
MJD112T4 图片
MJD112T4
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管，封装:DPAK
  • 技术参数：TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
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MJD112T4 技术参数详情：
  • 型号:MJD112T4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2 A
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:3V @ 40mA，4A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:20A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1000 @ 2A，3V
  • 功率 - 最大值:20 W
  • 频率 - 跃迁:25MHz
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
  • 供应商器件封装:DPAK
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