M1P45M12W2-1LA - ST
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图片信息
M1P45M12W2-1LA
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:ACEPACK DMT-32
技术参数:
MOSFET 6N-CH 1200V ACEPACK DMT
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M1P45M12W2-1LA 技术参数详情:
型号:M1P45M12W2-1LA
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:ACEPACK DMT-32
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 6N-CH 1200V ACEPACK DMT
包装:管件
产品状态:在售
技术:碳化硅(SiC)
配置:6 N-Channel(Phase Leg)
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):60.5 毫欧 @ 20A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):100nC @ 18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2086pF @ 800V
功率 - 最大值:-
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:32-PowerDIP 模块(1.264,32.10mm)
供应商器件封装:ACEPACK DMT-32
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