LFTVS18-1F3 - ST
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图片信息
LFTVS18-1F3
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管,封装:4-覆晶(0.77x0.77)
技术参数:
TVS DIODE 12VWM 19VC 4FLIPCHIP
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LFTVS18-1F3 技术参数详情:
型号:LFTVS18-1F3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:4-覆晶(0.77x0.77)
类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
描述:TVS DIODE 12VWM 19VC 4FLIPCHIP
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
类型:齐纳
单向通道:1
双向通道:-
电压 - 反向断态(典型值):12V
电压 - 击穿(最小值):16V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):19V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):5A
功率 - 峰值脉冲:350W
电源线路保护:无
应用:通用
不同频率时电容:175pF @ 1MHz
工作温度:-
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:4-UFBGA,FCBGA
供应商器件封装:4-覆晶(0.77x0.77)
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LFTVS18-1F3
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