L6747C - ST
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图片信息
L6747C
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:8-VFDFPN(3x3)
技术参数:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN
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L6747C 技术参数详情:
型号:L6747C
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:8-VFDFPN(3x3)
类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN
系列:-
包装:托盘
产品状态:南皇电子 停止提供
南皇电子 可编程:未验证
驱动配置:半桥
通道类型:同步
驱动器数:2
栅极类型:MOSFET(N 沟道)
电压 - 供电:5V ~ 12V
逻辑电压- VIL,VIH:0.8V,2V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3.5A,-
输入类型:非反相
高压侧电压 - 最大值(自举):41 V
上升/下降时间(典型值):-
工作温度:0°C ~ 125°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-VDFN 焊盘
供应商器件封装:8-VFDFPN(3x3)
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