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L6571B - ST
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图片信息
L6571B 图片
L6571B
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-DIP（0.300，7.62mm）
  • 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP
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L6571B 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：L6571B
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP
  • 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装：管件
  • 系列：-
  • 零件状态：有源
  • 驱动配置：半桥
  • 通道类型：同步
  • 驱动器数：2
  • 栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电：10V ~ 16.6V
  • 逻辑电压-VIL，VIH：-
  • 电流-峰值输出（灌入，拉出）：170mA，270mA
  • 输入类型：RC 输入电路
  • 高压侧电压-最大值（自举）：600V
  • 上升/下降时间（典型值）：-
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 产品封装：8-DIP（0.300，7.62mm）
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