L6386E - ST
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图片信息
L6386E
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:14-DIP
技术参数:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
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L6386E 技术参数详情:
型号:L6386E
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:14-DIP
类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
系列:-
包装:管件
产品状态:停产
南皇电子 可编程:未验证
驱动配置:半桥
通道类型:独立式
驱动器数:2
栅极类型:IGBT,MOSFET(N 沟道)
电压 - 供电:17V(最大)
逻辑电压- VIL,VIH:1.5V,3.6V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出):400mA,650mA
输入类型:反相
高压侧电压 - 最大值(自举):600 V
上升/下降时间(典型值):50ns,30ns
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:14-DIP(0.300,7.62mm)
供应商器件封装:14-DIP
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