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BZW50-33BRL - ST
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图片信息
BZW50-33BRL 图片
BZW50-33BRL
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管，封装:R-6
  • 技术参数：TVS DIODE 33VWM 76VC R6
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BZW50-33BRL 技术参数详情：
  • 型号:BZW50-33BRL
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:R-6
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 33VWM 76VC R6
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态（典型值）:33V
  • 电压 - 击穿（最小值）:36.6V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:76V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):789A（8/20s）
  • 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:2875pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:R-6，轴向
  • 供应商器件封装:R-6
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