BZW50-18 - ST
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图片信息
BZW50-18
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管,封装:R-6
技术参数:
TVS DIODE 18VWM 41.5VC R6
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BZW50-18 技术参数详情:
型号:BZW50-18
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:R-6
类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
描述:TVS DIODE 18VWM 41.5VC R6
包装:剪切带(CT)
产品状态:停产
类型:齐纳
单向通道:1
双向通道:-
电压 - 反向断态(典型值):18V
电压 - 击穿(最小值):20V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):41.5V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):1446A(1.446kA)(8/20s)
功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW)
电源线路保护:无
应用:通用
不同频率时电容:11500pF @ 1MHz
工作温度:-
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:R-6,轴向
供应商器件封装:R-6
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BZW50-18
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