ADP61075W3-L - ST
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图片信息
ADP61075W3-L
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:-
技术参数:
POWER MODULE
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ADP61075W3-L 技术参数详情:
型号:ADP61075W3-L
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:POWER MODULE
包装:散装
产品状态:停产
技术:碳化硅(SiC)
配置:6 个 N 沟道
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):750V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):623A(Tj)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.6 毫欧 @ 610A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.4V @ 50mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):1312nC @ 18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):36070pF @ 400V
功率 - 最大值:869W(Tj)
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:-
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ADP61075W3-L
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