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A1F25M12W2-F1 - ST
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图片信息
A1F25M12W2-F1 图片
A1F25M12W2-F1
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:ACEPACK 1
  • 技术参数：MOSFET 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1
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A1F25M12W2-F1 技术参数详情：
  • 型号:A1F25M12W2-F1
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:ACEPACK 1
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:不适用于新设计
  • 技术:碳化硅（SiC）
  • 配置:4 个 N 通道
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 50A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.9V @ 5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:147nC @ 18V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3500pF @ 800V
  • 功率 - 最大值:-
  • 工作温度:175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:ACEPACK 1
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