UPA2756GR-E2-AT - Renesas
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图片信息
UPA2756GR-E2-AT
制造厂家:
Renesas(瑞萨电子)
类别封装:
场效应管阵列,8-PSOP
技术参数:
MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
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UPA2756GR-E2-AT 技术参数详情:
Renesas瑞萨完整型号:UPA2756GR-E2-AT
制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
描述:MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):105 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):260pF @ 10V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装:8-PSOP
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UPA2756GR-E2-AT
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