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TP65H070G4LSG-TR - Renesas
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图片信息
TP65H070G4LSG-TR 图片
TP65H070G4LSG-TR
  • 制造厂家：Renesas（瑞萨电子）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:3-PQFN（8x8）
  • 技术参数：GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
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TP65H070G4LSG-TR 技术参数详情：
  • 型号:TP65H070G4LSG-TR
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:3-PQFN（8x8）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 16A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.8V @ 700A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.4 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:600 pF @ 400 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:96W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:3-PQFN（8x8）
  • 封装/外壳:3-PowerTDFN
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