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RM25C64DS-LSNI-B - Renesas
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图片信息
RM25C64DS-LSNI-B 图片
RM25C64DS-LSNI-B
  • 制造厂家：Renesas（瑞萨电子）
  • 类别封装：集成电路（IC） > 存储器 > 存储器，封装:8-SOIC
  • 技术参数：IC CBRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
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RM25C64DS-LSNI-B 技术参数详情：
  • 型号:RM25C64DS-LSNI-B
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC CBRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:CBRAM
  • 技术:CBRAM
  • 存储容量:64Kb
  • 存储器组织:32 字节页大小
  • 存储器接口:SPI
  • 时钟频率:20 MHz
  • 写周期时间 - 字，页:100s，2.5ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.65V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SOIC
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