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RJL6015DPK-00#T0 - Renesas
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图片信息
RJL6015DPK-00#T0 图片
RJL6015DPK-00#T0
  • 制造厂家：Renesas（瑞萨电子）
  • 类别封装：单端场效应管，TO-3P
  • 技术参数：MOSFET N-CH 600V 19A TO3P
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RJL6015DPK-00#T0 技术参数详情：
  • Renesas瑞萨完整型号：RJL6015DPK-00#T0
  • 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 19A TO3P
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：19A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：410 毫欧 @ 9.5A， 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：65nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2370pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：150W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商器件封装：TO-3P
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