RJL5013DPP-A0#T2 - Renesas
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图片信息
RJL5013DPP-A0#T2
制造厂家:
Renesas(瑞萨电子)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220FN
技术参数:
RJL5013DPP-A0#T2
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RJL5013DPP-A0#T2 技术参数详情:
型号:RJL5013DPP-A0#T2
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:TO-220FN
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:RJL5013DPP-A0#T2
系列:-
包装:托盘
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):510 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):37.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1400 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):30W(Tc)
工作温度:150°C
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FN
封装/外壳:TO-220-3 整包
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