RJH60D1DPP-A0#T2 - Renesas
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图片信息
RJH60D1DPP-A0#T2
制造厂家:
Renesas(瑞萨电子)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-220FPA
技术参数:
POWER TRANSISTOR IGBT 600V 10A
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RJH60D1DPP-A0#T2 技术参数详情:
型号:RJH60D1DPP-A0#T2
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:TO-220FPA
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
描述:POWER TRANSISTOR IGBT 600V 10A
系列:-
包装:托盘
产品状态:停产
IGBT 类型:沟道
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,10A
功率 - 最大值:30 W
开关能量:100J(导通),130J(关断)
输入类型:标准
栅极电荷:13 nC
25°C 时 Td(开/关)值:30ns/42ns
测试条件:300V,10A,5 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):70 ns
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220FPA
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