NE85633L-A - Renesas
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图片信息
NE85633L-A
制造厂家:
Renesas(瑞萨电子)
类别封装:
RF 晶体管(BJT),TO-236-3
技术参数:
TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23
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NE85633L-A 技术参数详情:
Renesas瑞萨完整型号: NE85633L-A
制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
功能总体简述: TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23
系列: -
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿(最大值): 12V
频率 - 跃迁: 7GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
增益: 9dB
功率 - 最大值: 200mW
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 50 @ 20mA,10V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23
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