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NE3513M04-A - Renesas
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图片信息
NE3513M04-A 图片
NE3513M04-A
  • 制造厂家：Renesas（瑞萨电子）
  • 类别封装：RF FET，SOT-343F
  • 技术参数：IC HJ-FET RF N-CH LNA M04 4SMD
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NE3513M04-A 技术参数详情：
  • Renesas瑞萨完整型号: NE3513M04-A
  • 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
  • 功能总体简述: IC HJ-FET RF N-CH LNA M04 4SMD
  • 系列: -
  • 晶体管类型: N 沟道 GaAs HJ-FET
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）: -
  • 频率: 12GHz
  • 增益: 13dB
  • 频率 - 跃迁: -
  • 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -
  • 电压 - 测试: 2V
  • 额定电流: 60mA
  • 功率 - 最大值: -
  • 噪声系数: 0.65dB
  • 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -
  • 电流 - 测试: 10mA
  • 功率 - 输出: 125mW
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -
  • 安装类型: -
  • 电压 - 额定: 4V
  • 封装/外壳: SOT-343F
  • 供应商器件封装:
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