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ISL6612ECBZ-T - Renesas
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图片信息
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ISL6612ECBZ-T
  • 制造厂家：Renesas（瑞萨电子）
  • 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器，封装:8-SOIC-EP
  • 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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ISL6612ECBZ-T 技术参数详情：
  • 型号:ISL6612ECBZ-T
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:8-SOIC-EP
  • 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:同步
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
  • 电压 - 供电:10.8V ~ 13.2V
  • 逻辑电压- VIL，VIH:-
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V
  • 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns
  • 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）焊盘
  • 供应商器件封装:8-SOIC-EP
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