ISL6605CB - Renesas
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图片信息
ISL6605CB
制造厂家:
Renesas(瑞萨电子)
类别封装:
集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:8-SOIC
技术参数:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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ISL6605CB 技术参数详情:
型号:ISL6605CB
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:8-SOIC
类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
系列:-
包装:管件
产品状态:停产
南皇电子 可编程:未验证
驱动配置:半桥
通道类型:同步
驱动器数:2
栅极类型:MOSFET(N 沟道)
电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
逻辑电压- VIL,VIH:1V,2V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A
输入类型:非反相
高压侧电压 - 最大值(自举):33 V
上升/下降时间(典型值):8ns,8ns
工作温度:0°C ~ 125°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
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