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HZM4.7NB1TR-E - Renesas
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图片信息
HZM4.7NB1TR-E 图片
HZM4.7NB1TR-E
  • 制造厂家：Renesas（瑞萨电子）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管，封装:3-MPAK
  • 技术参数：DIODE ZENER 4.52V 200MW 3MPAK
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HZM4.7NB1TR-E 技术参数详情：
  • 型号:HZM4.7NB1TR-E
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:3-MPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 4.52V 200MW 3MPAK
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):4.52 V
  • 容差:±2.1%
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 阻抗（最大值）(Zzt):130 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 A @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装:3-MPAK
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