HZ9C2TD-E - Renesas
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图片信息
HZ9C2TD-E
制造厂家:
Renesas(瑞萨电子)
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:DO-35
技术参数:
DIODE ZENER 0.5W
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HZ9C2TD-E 技术参数详情:
型号:HZ9C2TD-E
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:DO-35
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
描述:DIODE ZENER 0.5W
包装:散装
产品状态:在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.3 V
容差:-
功率 - 最大值:500 mW
阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 A @ 5 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
工作温度:175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装:DO-35
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