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H5N2004DSTL-E - Renesas
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H5N2004DSTL-E
  • 制造厂家：Renesas（瑞萨电子）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:DPAK-3
  • 技术参数：NCH POWER MOSFET 200V 8A 480MOHM
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H5N2004DSTL-E 技术参数详情：
  • 型号:H5N2004DSTL-E
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:DPAK-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:NCH POWER MOSFET 200V 8A 480MOHM
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:48 毫欧 @ 4A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
  • 工作温度:150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:DPAK-3
  • 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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