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70V659S12DR - Renesas
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图片信息
70V659S12DR 图片
70V659S12DR
  • 制造厂家：Renesas（瑞萨电子）
  • 类别封装：集成电路（IC） > 存储器 > 存储器，封装:208-PQFP（28x28）
  • 技术参数：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
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70V659S12DR 技术参数详情：
  • 型号:70V659S12DR
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:208-PQFP（28x28）
  • 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:SRAM
  • 技术:SRAM - 双端口，异步
  • 存储容量:4.5Mb
  • 存储器组织:128K x 36
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字，页:12ns
  • 访问时间:12 ns
  • 电压 - 供电:3.15V ~ 3.45V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:208-BFQFP
  • 供应商器件封装:208-PQFP（28x28）
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