2SK1151STR-E - Renesas
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图片信息
2SK1151STR-E
制造厂家:
Renesas(瑞萨电子)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:DPAK-3
技术参数:
NCH POWER MOSFET 450V 1.5A 5500M
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2SK1151STR-E 技术参数详情:
型号:2SK1151STR-E
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:DPAK-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:NCH POWER MOSFET 450V 1.5A 5500M
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):450 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5.5 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):160 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):20W(Ta)
工作温度:150°C
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK-3
封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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