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2SC2735JTR-E - Renesas
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图片信息
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2SC2735JTR-E
  • 制造厂家：Renesas（瑞萨电子）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极射频晶体管，封装:3-MPAK
  • 技术参数：RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ 3-MPAK
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2SC2735JTR-E 技术参数详情：
  • 型号:2SC2735JTR-E
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:3-MPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极射频晶体管
  • 描述:RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ 3-MPAK
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V
  • 频率 - 跃迁:1.2GHz
  • 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz
  • 增益:21dB
  • 功率 - 最大值:150mW
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:40 @ 10mA，10V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50mA
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装:3-MPAK
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